Справочник MOSFET. IRF7303Q

 

IRF7303Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7303Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7303Q Datasheet (PDF)

 0.1. Size:578K  1
auirf7303q.pdfpdf_icon

IRF7303Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7303Q VDSS Features 1 8S1 D1 30V Advanced Planar Technology 2 7G1 D1RDS(on) max. Dual N Channel MOSFET 3 6S2 D20.054 Low On-Resistance 5G2 D2ID Logic Level Gate Drive 5.3A Top View Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

 7.1. Size:111K  international rectifier
irf7303.pdfpdf_icon

IRF7303Q

PD - 9.1239DIRF7303HEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8 Ultra Low On-Resistance D1S1VDSS = 30V Dual N-Channel Mosfet 2 7G1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Available in Tape & Reel4 5G2 D2RDS(on) = 0.050 Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniq

 7.2. Size:230K  international rectifier
irf7303pbf.pdfpdf_icon

IRF7303Q

PD - 95177IRF7303PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistance1 8l Dual N-Channel MosfetS1 D1VDSS = 30Vl Surface Mount 2 7G1 D1l Available in Tape & Reel3 6S2 D2l Dynamic dv/dt Rating4 5G2 D2RDS(on) = 0.050l Fast Switchingl Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanc

 7.3. Size:833K  cn vbsemi
irf7303tr.pdfpdf_icon

IRF7303Q

IRF7303TRwww.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: P0903YK | AP95T10AGI-HF | STP5NB40 | 2N6660-2 | FRK9150H | NCE60N1K0K | 2SK3532

 

 
Back to Top

 


 
.