IRF7303Q - описание и поиск аналогов

 

IRF7303Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF7303Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для IRF7303Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7303Q даташит

 0.1. Size:578K  1
auirf7303q.pdfpdf_icon

IRF7303Q

 7.1. Size:111K  international rectifier
irf7303.pdfpdf_icon

IRF7303Q

PD - 9.1239D IRF7303 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology 1 8 Ultra Low On-Resistance D1 S1 VDSS = 30V Dual N-Channel Mosfet 2 7 G1 D1 Surface Mount 3 6 S2 D2 Available in Tape & Reel 4 5 G2 D2 RDS(on) = 0.050 Dynamic dv/dt Rating Fast Switching Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniq

 7.2. Size:230K  international rectifier
irf7303pbf.pdfpdf_icon

IRF7303Q

PD - 95177 IRF7303PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance 1 8 l Dual N-Channel Mosfet S1 D1 VDSS = 30V l Surface Mount 2 7 G1 D1 l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l Dynamic dv/dt Rating 4 5 G2 D2 RDS(on) = 0.050 l Fast Switching l Lead-Free Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanc

 7.3. Size:833K  cn vbsemi
irf7303tr.pdfpdf_icon

IRF7303Q

Другие MOSFET... IRFI4020H-117P , IRFHM8363 , IRL6372 , IRF9910 , IRF7311 , IRF7313 , IRF7752G , IRF7904 , P55NF06 , IRFH7911 , IRFI4024H-117P , IRF6723M2D , IRFI4019H-117P , IRF8513 , IRF7101 , IRFI4019HG-117P , IRF7103 .

History: SM6106PSK | 2SK3298 | WMPN40N50D1 | IRFB4610

 

 

 

 

↑ Back to Top
.