Справочник MOSFET. IRF7303Q

 

IRF7303Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7303Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7303Q Datasheet (PDF)

 0.1. Size:578K  1
 auirf7303q.pdf pdf_icon

IRF7303Q

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7303Q VDSS Features 1 8S1 D1 30V Advanced Planar Technology 2 7G1 D1RDS(on) max. Dual N Channel MOSFET 3 6S2 D20.054 Low On-Resistance 5G2 D2ID Logic Level Gate Drive 5.3A Top View Dynamic dv/dt Rating 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

 7.1. Size:111K  international rectifier
 irf7303.pdf pdf_icon

IRF7303Q

PD - 9.1239DIRF7303HEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8 Ultra Low On-Resistance D1S1VDSS = 30V Dual N-Channel Mosfet 2 7G1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Available in Tape & Reel4 5G2 D2RDS(on) = 0.050 Dynamic dv/dt Rating Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniq

 7.2. Size:230K  international rectifier
 irf7303pbf.pdf pdf_icon

IRF7303Q

PD - 95177IRF7303PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistance1 8l Dual N-Channel MosfetS1 D1VDSS = 30Vl Surface Mount 2 7G1 D1l Available in Tape & Reel3 6S2 D2l Dynamic dv/dt Rating4 5G2 D2RDS(on) = 0.050l Fast Switchingl Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanc

 7.3. Size:833K  cn vbsemi
 irf7303tr.pdf pdf_icon

IRF7303Q

IRF7303TRwww.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI4020H-117P , IRFHM8363 , IRL6372 , IRF9910 , IRF7311 , IRF7313 , IRF7752G , IRF7904 , IRFB4115 , IRFH7911 , IRFI4024H-117P , IRF6723M2D , IRFI4019H-117P , IRF8513 , IRF7101 , IRFI4019HG-117P , IRF7103 .

 

 
Back to Top

 


 
.