IRFI4019H-117P Todos los transistores

 

IRFI4019H-117P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI4019H-117P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP-5PIN
 

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IRFI4019H-117P datasheet

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IRFI4019H-117P

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IRFI4019H-117P

PD - 96274 IRFI4019HG-117P DIGITAL AUDIO MOSFET Features Key Parameters Integrated Half-Bridge Package VDS 150 V Reduces the Part Count by Half m RDS(ON) typ. @ 10V 80 Facilitates Better PCB Layout Qg typ. 13 nC Key Parameters Optimized for Class-D Qsw typ. 4.1 nC Audio Amplifier Applications RG(int) typ. 2.5 Low RDS(ON) for Improved Efficiency TJ max 150 C

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IRFI4019H-117P

PD - 97254 DIGITAL AUDIO MOSFET IRFI4024H-117P Key Parameters g Features VDS 55 V Integrated half-bridge package RDS(ON) typ. @ 10V m 48 Reduces the part count by half Qg typ. 8.9 nC Facilitates better PCB layout Qsw typ. 4.3 nC Key parameters optimized for Class-D RG(int) typ. 2.3 audio amplifier applications TJ max 150 C Low RDS(ON) for improved

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History: SVT03100ND | NTUD3174NZ | APT5010JFLL | IPI65R190C6 | AOD414 | KDD6030L | 2SK1004

 

 
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