IRFI4019H-117P Todos los transistores

 

IRFI4019H-117P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFI4019H-117P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FP-5PIN
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFI4019H-117P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFI4019H-117P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:290K  1
 irfi4019h-117p.pdf pdf_icon

IRFI4019H-117P

PD - 97074AIRFI4019H-117PDIGITAL AUDIO MOSFETFeatures Key Parameters h Integrated Half-Bridge PackageVDS 150 V Reduces the Part Count by Halfm:RDS(ON) typ. @ 10V 80 Facilitates Better PCB LayoutQg typ. 13 nC Key Parameters Optimized for Class-DQsw typ. 4.1 nCAudio Amplifier ApplicationsRG(int) typ. 2.5 Low RDS(ON) for Improved EfficiencyTJ max 150

 ..2. Size:290K  international rectifier
 irfi4019h-117p.pdf pdf_icon

IRFI4019H-117P

PD - 97074AIRFI4019H-117PDIGITAL AUDIO MOSFETFeatures Key Parameters h Integrated Half-Bridge PackageVDS 150 V Reduces the Part Count by Halfm:RDS(ON) typ. @ 10V 80 Facilitates Better PCB LayoutQg typ. 13 nC Key Parameters Optimized for Class-DQsw typ. 4.1 nCAudio Amplifier ApplicationsRG(int) typ. 2.5 Low RDS(ON) for Improved EfficiencyTJ max 150

 5.1. Size:268K  1
 irfi4019hg-117p.pdf pdf_icon

IRFI4019H-117P

PD - 96274IRFI4019HG-117PDIGITAL AUDIO MOSFETFeatures Key Parameters Integrated Half-Bridge PackageVDS 150 V Reduces the Part Count by HalfmRDS(ON) typ. @ 10V 80 Facilitates Better PCB LayoutQg typ. 13 nC Key Parameters Optimized for Class-DQsw typ. 4.1 nCAudio Amplifier ApplicationsRG(int) typ. 2.5 Low RDS(ON) for Improved EfficiencyTJ max 150 C

 8.1. Size:254K  1
 irfi4024h-117p.pdf pdf_icon

IRFI4019H-117P

PD - 97254DIGITAL AUDIO MOSFETIRFI4024H-117PKey Parameters gFeaturesVDS55 V Integrated half-bridge packageRDS(ON) typ. @ 10V m:48 Reduces the part count by halfQg typ.8.9 nC Facilitates better PCB layoutQsw typ.4.3 nC Key parameters optimized for Class-DRG(int) typ. 2.3 audio amplifier applicationsTJ max150 C Low RDS(ON) for improved

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRF7311 , IRF7313 , IRF7752G , IRF7904 , IRF7303Q , IRFH7911 , IRFI4024H-117P , IRF6723M2D , 7N65 , IRF8513 , IRF7101 , IRFI4019HG-117P , IRF7103 , IRLHS6276 , IRF7103Q , IRF7341Q , IRF7905 .

 

 
Back to Top

 


 
.