IRFI4019H-117P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFI4019H-117P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
Тип корпуса: TO220FP-5PIN
Аналог (замена) для IRFI4019H-117P
IRFI4019H-117P Datasheet (PDF)
irfi4019h-117p.pdf
PD - 97074AIRFI4019H-117PDIGITAL AUDIO MOSFETFeatures Key Parameters h Integrated Half-Bridge PackageVDS 150 V Reduces the Part Count by Halfm:RDS(ON) typ. @ 10V 80 Facilitates Better PCB LayoutQg typ. 13 nC Key Parameters Optimized for Class-DQsw typ. 4.1 nCAudio Amplifier ApplicationsRG(int) typ. 2.5 Low RDS(ON) for Improved EfficiencyTJ max 150
irfi4019h-117p.pdf
PD - 97074AIRFI4019H-117PDIGITAL AUDIO MOSFETFeatures Key Parameters h Integrated Half-Bridge PackageVDS 150 V Reduces the Part Count by Halfm:RDS(ON) typ. @ 10V 80 Facilitates Better PCB LayoutQg typ. 13 nC Key Parameters Optimized for Class-DQsw typ. 4.1 nCAudio Amplifier ApplicationsRG(int) typ. 2.5 Low RDS(ON) for Improved EfficiencyTJ max 150
irfi4019hg-117p.pdf
PD - 96274IRFI4019HG-117PDIGITAL AUDIO MOSFETFeatures Key Parameters Integrated Half-Bridge PackageVDS 150 V Reduces the Part Count by HalfmRDS(ON) typ. @ 10V 80 Facilitates Better PCB LayoutQg typ. 13 nC Key Parameters Optimized for Class-DQsw typ. 4.1 nCAudio Amplifier ApplicationsRG(int) typ. 2.5 Low RDS(ON) for Improved EfficiencyTJ max 150 C
irfi4024h-117p.pdf
PD - 97254DIGITAL AUDIO MOSFETIRFI4024H-117PKey Parameters gFeaturesVDS55 V Integrated half-bridge packageRDS(ON) typ. @ 10V m:48 Reduces the part count by halfQg typ.8.9 nC Facilitates better PCB layoutQsw typ.4.3 nC Key parameters optimized for Class-DRG(int) typ. 2.3 audio amplifier applicationsTJ max150 C Low RDS(ON) for improved
Другие MOSFET... IRF7311 , IRF7313 , IRF7752G , IRF7904 , IRF7303Q , IRFH7911 , IRFI4024H-117P , IRF6723M2D , IRF630 , IRF8513 , IRF7101 , IRFI4019HG-117P , IRF7103 , IRLHS6276 , IRF7103Q , IRF7341Q , IRF7905 .
History: MME65R280QRH | STF40NF03L | SPN6561S26RGB
History: MME65R280QRH | STF40NF03L | SPN6561S26RGB
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193







