IRF8513 Todos los transistores

 

IRF8513 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF8513
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 172 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0155 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

 Búsqueda de reemplazo de IRF8513 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRF8513 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  international rectifier
 irf8513pbf.pdf pdf_icon

IRF8513

PD - 96196IRF8513PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS IDRDS(on) maxl Dual SO-8 MOSFET for POLConverters in Notebook Computers, Servers,Q1 15.5m @VGS = 10V 8.0A30VGraphics Cards, Game ConsolesQ2 12.7m @VGS = 10V 11Aand Set-Top BoxBenefitsl Low Gate Charge and Low RDS(on)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Currentl 20V VGS Max. Gate Ratingl 100% Test

Otros transistores... IRF7313 , IRF7752G , IRF7904 , IRF7303Q , IRFH7911 , IRFI4024H-117P , IRF6723M2D , IRFI4019H-117P , K3569 , IRF7101 , IRFI4019HG-117P , IRF7103 , IRLHS6276 , IRF7103Q , IRF7341Q , IRF7905 , IRF7907 .

History: FDBL9406F085 | NCEP090N85AGU | WML26N65SR | SUP60N06-18 | KNB2710A | WMM115N15HG4 | JFPC18N60C

 

 
Back to Top

 


 
.