IRF8513 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF8513
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.35 V
Carga de la puerta (Qg): 5.7 nC
Tiempo de subida (tr): 8.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 172 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0155 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF8513
IRF8513 Datasheet (PDF)
..1. Size:336K international rectifier
irf8513pbf.pdf
irf8513pbf.pdf
PD - 96196IRF8513PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS IDRDS(on) maxl Dual SO-8 MOSFET for POLConverters in Notebook Computers, Servers,Q1 15.5m @VGS = 10V 8.0A30VGraphics Cards, Game ConsolesQ2 12.7m @VGS = 10V 11Aand Set-Top BoxBenefitsl Low Gate Charge and Low RDS(on)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Currentl 20V VGS Max. Gate Ratingl 100% Test
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