Справочник MOSFET. IRF8513

 

IRF8513 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF8513
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 172 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF8513 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  international rectifier
 irf8513pbf.pdf pdf_icon

IRF8513

PD - 96196IRF8513PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS IDRDS(on) maxl Dual SO-8 MOSFET for POLConverters in Notebook Computers, Servers,Q1 15.5m @VGS = 10V 8.0A30VGraphics Cards, Game ConsolesQ2 12.7m @VGS = 10V 11Aand Set-Top BoxBenefitsl Low Gate Charge and Low RDS(on)l Fully Characterized Avalanche Voltageand Currentl 20V VGS Max. Gate Ratingl 100% Test

Другие MOSFET... IRF7313 , IRF7752G , IRF7904 , IRF7303Q , IRFH7911 , IRFI4024H-117P , IRF6723M2D , IRFI4019H-117P , K3569 , IRF7101 , IRFI4019HG-117P , IRF7103 , IRLHS6276 , IRF7103Q , IRF7341Q , IRF7905 , IRF7907 .

History: SI9945BDY | NVTFS002N04C

 

 
Back to Top

 


 
.