IRF8513 - описание и поиск аналогов

 

IRF8513. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF8513

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 172 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0155 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для IRF8513

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF8513 даташит

 ..1. Size:336K  international rectifier
 irf8513pbf.pdf pdf_icon

IRF8513

PD - 96196 IRF8513PbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS ID RDS(on) max l Dual SO-8 MOSFET for POL Converters in Notebook Computers, Servers, Q1 15.5m @VGS = 10V 8.0A 30V Graphics Cards, Game Consoles Q2 12.7m @VGS = 10V 11A and Set-Top Box Benefits l Low Gate Charge and Low RDS(on) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max. Gate Rating l 100% Test

Другие MOSFET... IRF7313 , IRF7752G , IRF7904 , IRF7303Q , IRFH7911 , IRFI4024H-117P , IRF6723M2D , IRFI4019H-117P , IRF9540 , IRF7101 , IRFI4019HG-117P , IRF7103 , IRLHS6276 , IRF7103Q , IRF7341Q , IRF7905 , IRF7907 .

History: 2N7081-220M-ISO | STD20NF06T4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.