BSR58 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSR58
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.08 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 60 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSR58

BSR58 Datasheet (PDF)

..1. Size:33K philips
bsr56 bsr57 bsr58.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSR56; BSR57; BSR58N-channel FETsApril 1991Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel FETs BSR56; BSR57; BSR58DESCRIPTIONSymmetrical silicon n-channeldepletion type junction field-effecttransistors in a plastic microminiatureenvelope intended for application inth

..2. Size:43K fairchild semi
bsr58.pdf

BSR58N-Channel Low-Frequency Low-Noise 3Amplifier This device is designed for low-power chopper or switching application sourced from process 512SOT-231Mark: M61. Drain 2. Source 3. Gate Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVDGO Drain-Gate Voltage 40 VVGSO Gate-Source Voltage - 40 VIGF Forward Gate Current 50 mAPt

0.1. Size:91K onsemi
bsr58lt1.pdf

BSR58LT1JFET Chopper TransistorN-Channel - DepletionFeatures Pb-Free Package is Available http://onsemi.comMAXIMUM RATINGS2 SOURCERating Symbol Value UnitDrain -Gate Voltage VDG -40 VdcGate-Source Voltage VGS -35 Vdc 3GATEGate Current IG 50 mAdcTotal Device Dissipation PD1 DRAIN@ TA = 25C 350 mWDerate above 25C 2.8 mW/CLead Temperature TL 300 COper

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Liste

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