IRF8915 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF8915
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0183 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de IRF8915 MOSFET
IRF8915 Datasheet (PDF)
irf8915.pdf

PD -95727AIRF8915PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDDual SO-8 MOSFET for POLconverters in desktop, servers,18.3m @VGS = 10V20V 8.9Agraphics cards, game consolesand set-top boxl Lead-Free1 8S1 D12 7G1 D13 6S2 D2Benefits4 5G2 D2l Ultra-Low Gate ImpedanceSO-8l Very Low RDS(on)Top Viewl Fully Characterized Avalanche Voltageand
irf8910gpbf.pdf

PD -96257IRF8910GPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Dual SO-8 MOSFET for POLconverters in desktop, servers,13.4m @VGS = 10V20V 10Agraphics cards, game consolesand set-top boxl Lead-Free1l Halogen-Free 8S1 D12 7G1 D1Benefits3 6S2 D2l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS45G2 D2l Ultra-Low Gate ImpedanceSO-8l Fully Characterized Ava
irf8910pbf-1.pdf

IRF8910PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 20 V1 8S1 D1RDS(on) max 2 713.4G1 D1(@V = 10V)GSm3 6S2 D2RDS(on) max 18.34 5(@V = 4.5V)GSG2 D2Qg (typical) 7.4 nCSO-8Top ViewID 10 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturin
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History: MSQ27N30 | MMF60R580QTH
History: MSQ27N30 | MMF60R580QTH



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