Справочник MOSFET. IRF8915

 

IRF8915 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF8915
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0183 Ohm
   Тип корпуса: SO8

 Аналог (замена) для IRF8915

 

 

IRF8915 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  1
 irf8915.pdf

IRF8915 IRF8915

PD -95727AIRF8915PbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDDual SO-8 MOSFET for POLconverters in desktop, servers,18.3m @VGS = 10V20V 8.9Agraphics cards, game consolesand set-top boxl Lead-Free1 8S1 D12 7G1 D13 6S2 D2Benefits4 5G2 D2l Ultra-Low Gate ImpedanceSO-8l Very Low RDS(on)Top Viewl Fully Characterized Avalanche Voltageand

 8.1. Size:284K  international rectifier
 irf8910gpbf.pdf

IRF8915 IRF8915

PD -96257IRF8910GPbFHEXFET Power MOSFETApplicationsVDSS RDS(on) max IDl Dual SO-8 MOSFET for POLconverters in desktop, servers,13.4m @VGS = 10V20V 10Agraphics cards, game consolesand set-top boxl Lead-Free1l Halogen-Free 8S1 D12 7G1 D1Benefits3 6S2 D2l Very Low RDS(on) at 4.5V VGS45G2 D2l Ultra-Low Gate ImpedanceSO-8l Fully Characterized Ava

 8.2. Size:250K  international rectifier
 irf8910pbf-1.pdf

IRF8915 IRF8915

IRF8910PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 20 V1 8S1 D1RDS(on) max 2 713.4G1 D1(@V = 10V)GSm3 6S2 D2RDS(on) max 18.34 5(@V = 4.5V)GSG2 D2Qg (typical) 7.4 nCSO-8Top ViewID 10 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturin

 8.3. Size:250K  infineon
 irf8910pbf-1.pdf

IRF8915 IRF8915

IRF8910PbF-1HEXFET Power MOSFETVDS 20 V1 8S1 D1RDS(on) max 2 713.4G1 D1(@V = 10V)GSm3 6S2 D2RDS(on) max 18.34 5(@V = 4.5V)GSG2 D2Qg (typical) 7.4 nCSO-8Top ViewID 10 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturin

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top