IRF8852 Todos los transistores

 

IRF8852 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF8852
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0113 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
 

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IRF8852 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  international rectifier
 irf8852pbf.pdf pdf_icon

IRF8852

PD - 96246IRF8852PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) maxl Dual N-Channel MOSFET Id l Very Small SOIC Package11.3m @VGS = 10V7.8Al Low Profile (

Otros transistores... IRF8313 , IRF8910G , IRF7303 , IRF7313Q , IRF7910 , IRF7380Q , IRF7341 , IRF7503 , IRFP450 , IRF7103I , IRF7304Q , IRF7756G , IRF7314Q , IRF7329 , IRF7316Q , IRF7306 , IRF7324 .

History: IPLK60R1K0PFD7 | WML10N80M3 | SI5933CDC | IPL60R199CP | SI5403DC | RF1S4N100SM | 2SK1758

 

 
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