IRF8852 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF8852  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 295 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0113 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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IRF8852 datasheet

 ..1. Size:296K  international rectifier
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IRF8852

PD - 96246 IRF8852PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max l Dual N-Channel MOSFET Id l Very Small SOIC Package 11.3m @VGS = 10V 7.8A l Low Profile (

Otros transistores... IRF8313, IRF8910G, IRF7303, IRF7313Q, IRF7910, IRF7380Q, IRF7341, IRF7503, NCEP15T14, IRF7103I, IRF7304Q, IRF7756G, IRF7314Q, IRF7329, IRF7316Q, IRF7306, IRF7324