Справочник MOSFET. IRF8852

 

IRF8852 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF8852
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0113 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для IRF8852

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF8852 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  international rectifier
 irf8852pbf.pdf pdf_icon

IRF8852

PD - 96246IRF8852PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) maxl Dual N-Channel MOSFET Id l Very Small SOIC Package11.3m @VGS = 10V7.8Al Low Profile (

Другие MOSFET... IRF8313 , IRF8910G , IRF7303 , IRF7313Q , IRF7910 , IRF7380Q , IRF7341 , IRF7503 , IRFP450 , IRF7103I , IRF7304Q , IRF7756G , IRF7314Q , IRF7329 , IRF7316Q , IRF7306 , IRF7324 .

History: TPC8051-H | IPF060N03LG

 

 
Back to Top

 


 
.