IRF8852 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF8852  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0113 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF8852

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF8852 даташит

 ..1. Size:296K  international rectifier
 irf8852pbf.pdf pdf_icon

IRF8852

PD - 96246 IRF8852PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max l Dual N-Channel MOSFET Id l Very Small SOIC Package 11.3m @VGS = 10V 7.8A l Low Profile (

Другие IGBT... IRF8313, IRF8910G, IRF7303, IRF7313Q, IRF7910, IRF7380Q, IRF7341, IRF7503, NCEP15T14, IRF7103I, IRF7304Q, IRF7756G, IRF7314Q, IRF7329, IRF7316Q, IRF7306, IRF7324