HN1J02FU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN1J02FU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 7 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 40 Ohm

Encapsulados: SOT363 SC88 US6

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HN1J02FU datasheet

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HN1J02FU

HN1J02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Mos Type HN1J02FU High Speed Switching Applications Unit in mm Analog Switch Applications High input impedance Low threshold voltage V =-0.5V -1.5V th High speed Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDS -20 V Gate-sou

Otros transistores... 2SK4014, 2SK4017, 2SK4023, 2SK4026, 2SK4033, 2SK4034, 2SK4115, 2SK4207, 50N06, HN1K02FU, HN1K03FU, HN1K04FU, HN1K05FU, HN1K06FU, HN1L02FU, HN1L03FU, HN4K03JU