HN1J02FU Todos los transistores

 

HN1J02FU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN1J02FU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 7 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 40 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363 SC88 US6
 

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HN1J02FU Datasheet (PDF)

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HN1J02FU

HN1J02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Mos Type HN1J02FU High Speed Switching Applications Unit in mmAnalog Switch Applications High input impedance Low threshold voltage: V =-0.5V~-1.5V th High speed Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS -20 VGate-sou

Otros transistores... 2SK4014 , 2SK4017 , 2SK4023 , 2SK4026 , 2SK4033 , 2SK4034 , 2SK4115 , 2SK4207 , IRF640 , HN1K02FU , HN1K03FU , HN1K04FU , HN1K05FU , HN1K06FU , HN1L02FU , HN1L03FU , HN4K03JU .

History: IRFB4110Q | SIHFI820G | BUZ101 | 2N7272R4 | NP90N06VLG | CJBA3541K | IXFH10N100P

 

 
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