HN1J02FU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HN1J02FU
Código: KS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 7 V
Corriente continua de drenaje (Id): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 40 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT363, SC88, US6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HN1J02FU
HN1J02FU Datasheet (PDF)
1.1. hn1j02fu 071101.pdf 
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HN1J02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Mos Type HN1J02FU High Speed Switching Applications Unit in mm Analog Switch Applications High input impedance Low threshold voltage: V =-0.5V~-1.5V th High speed Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDS -20 V Gate-sou
Otros transistores... 2SK4014 , 2SK4017 , 2SK4023 , 2SK4026 , 2SK4033 , 2SK4034 , 2SK4115 , 2SK4207 , IRF540N , HN1K02FU , HN1K03FU , HN1K04FU , HN1K05FU , HN1K06FU , HN1L02FU , HN1L03FU , HN4K03JU .
