HN1J02FU Todos los transistores

 

HN1J02FU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN1J02FU

Código: KS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 7 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 40 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT363, SC88, US6

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HN1J02FU Datasheet (PDF)

1.1. hn1j02fu 071101.pdf Size:314K _toshiba

HN1J02FU
HN1J02FU

HN1J02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Mos Type HN1J02FU High Speed Switching Applications Unit in mm Analog Switch Applications High input impedance Low threshold voltage: V =-0.5V~-1.5V th High speed Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDS -20 V Gate-sou

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