HN1J02FU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HN1J02FU
Código: KS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 7 V
Corriente continua de drenaje (Id): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 40 Ohm
Empaquetado / Estuche: SOT363_SC88_US6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HN1J02FU
HN1J02FU Datasheet (PDF)
1.1. hn1j02fu 071101.pdf 
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HN1J02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Mos Type HN1J02FU High Speed Switching Applications Unit in mm Analog Switch Applications High input impedance Low threshold voltage: V =-0.5V~-1.5V th High speed Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDS -20 V Gate-sou
Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .
