HN1J02FU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HN1J02FU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 7 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 8.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm

Тип корпуса: SOT363 SC88 US6

Аналог (замена) для HN1J02FU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HN1J02FU даташит

 ..1. Size:314K  toshiba
 hn1j02fu.pdf pdf_icon

HN1J02FU

HN1J02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Mos Type HN1J02FU High Speed Switching Applications Unit in mm Analog Switch Applications High input impedance Low threshold voltage V =-0.5V -1.5V th High speed Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDS -20 V Gate-sou

Другие IGBT... 2SK4014, 2SK4017, 2SK4023, 2SK4026, 2SK4033, 2SK4034, 2SK4115, 2SK4207, IRFP460, HN1K02FU, HN1K03FU, HN1K04FU, HN1K05FU, HN1K06FU, HN1L02FU, HN1L03FU, HN4K03JU