Справочник MOSFET. HN1J02FU

 

HN1J02FU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HN1J02FU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.4 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm
   Тип корпуса: SOT363 SC88 US6
 

 Аналог (замена) для HN1J02FU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HN1J02FU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  toshiba
 hn1j02fu.pdf pdf_icon

HN1J02FU

HN1J02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Mos Type HN1J02FU High Speed Switching Applications Unit in mmAnalog Switch Applications High input impedance Low threshold voltage: V =-0.5V~-1.5V th High speed Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS -20 VGate-sou

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQB9N50C | 2N6800SM | FCH072N60FF085

 

 
Back to Top

 


 
.