Справочник MOSFET. HN1J02FU

 

HN1J02FU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HN1J02FU
   Маркировка: KS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 7 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.4 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm
   Тип корпуса: SOT363 SC88 US6

 Аналог (замена) для HN1J02FU

 

 

HN1J02FU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:314K  toshiba
 hn1j02fu.pdf

HN1J02FU HN1J02FU

HN1J02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Mos Type HN1J02FU High Speed Switching Applications Unit in mmAnalog Switch Applications High input impedance Low threshold voltage: V =-0.5V~-1.5V th High speed Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristic Symbol Rating UnitDrain-source voltage VDS -20 VGate-sou

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CS630

 

 
Back to Top