HN1L02FU Todos los transistores

 

HN1L02FU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN1L02FU
   Código: K2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 40 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363 SC88 US6
 

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HN1L02FU Datasheet (PDF)

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HN1L02FU

HN1L02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon NP Channel MOS Type HN1L02FU Unit in mmHigh Speed Switching Applications Analog Switch Applications Q1, Q2 common 2.5V gate drive Low threshold voltage Q1: V = 0.5~1.5V Q2: V =-0.5~-1.5V th th High speed Small package Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source vol

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HN1L02FU

HN1L03FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon NP Channel MOS Type HN1L03FU Unit in mmHigh Speed Switching Applications Analog Switch Applications Q1, Q2 common Low threshold voltage Q1: V = 0.8~2.5V Q2: V =-0.5~-1.5V th th High speed Small package Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 50 VGate-

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History: STP53N06 | FDR838P

 

 
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