Справочник MOSFET. HN1L02FU

 

HN1L02FU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HN1L02FU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 40 Ohm
   Тип корпуса: SOT363 SC88 US6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HN1L02FU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:464K  toshiba
 hn1l02fu.pdf pdf_icon

HN1L02FU

HN1L02FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon NP Channel MOS Type HN1L02FU Unit in mmHigh Speed Switching Applications Analog Switch Applications Q1, Q2 common 2.5V gate drive Low threshold voltage Q1: V = 0.5~1.5V Q2: V =-0.5~-1.5V th th High speed Small package Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source vol

 9.1. Size:468K  toshiba
 hn1l03fu.pdf pdf_icon

HN1L02FU

HN1L03FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon NP Channel MOS Type HN1L03FU Unit in mmHigh Speed Switching Applications Analog Switch Applications Q1, Q2 common Low threshold voltage Q1: V = 0.8~2.5V Q2: V =-0.5~-1.5V th th High speed Small package Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS 50 VGate-

Другие MOSFET... 2SK4115 , 2SK4207 , HN1J02FU , HN1K02FU , HN1K03FU , HN1K04FU , HN1K05FU , HN1K06FU , 10N60 , HN1L03FU , HN4K03JU , SSM3J01F , SSM3J01T , SSM3J02F , SSM3J02T , SSM3J05FU , SSM3J09FU .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.