HN4K03JU Todos los transistores

 

HN4K03JU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN4K03JU

Código: KP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 12 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT353_SC88A_USV

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HN4K03JU

 

HN4K03JU Datasheet (PDF)

1.1. hn4k03ju 071101.pdf Size:312K _toshiba

HN4K03JU
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HN4K03JU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type HN4K03JU Unit in mm High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High input impedance Low gate threshold voltage: Vth = 0.5~1.5V Excellent switching times Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 
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