HN4K03JU Todos los transistores

 

HN4K03JU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HN4K03JU

Código: KP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.2 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 12 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT353, SC88A, USV

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HN4K03JU Datasheet (PDF)

1.1. hn4k03ju 071101.pdf Size:312K _toshiba

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HN4K03JU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type HN4K03JU Unit in mm High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High input impedance Low gate threshold voltage: Vth = 0.5~1.5V Excellent switching times Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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