HN4K03JU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HN4K03JU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.3 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT353 SC88A USV
Búsqueda de reemplazo de HN4K03JU MOSFET
HN4K03JU Datasheet (PDF)
hn4k03ju.pdf

HN4K03JU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type HN4K03JU Unit in mmHigh Speed Switching Applications Analog Switch Applications High input impedance Low gate threshold voltage: Vth = 0.5~1.5V Excellent switching times Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS
Otros transistores... HN1J02FU , HN1K02FU , HN1K03FU , HN1K04FU , HN1K05FU , HN1K06FU , HN1L02FU , HN1L03FU , IRF3710 , SSM3J01F , SSM3J01T , SSM3J02F , SSM3J02T , SSM3J05FU , SSM3J09FU , SSM3J108TU , SSM3J109TU .
History: FDR6674A
History: FDR6674A



Liste
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