HN4K03JU Todos los transistores

 

HN4K03JU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HN4K03JU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT353 SC88A USV
 

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HN4K03JU datasheet

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HN4K03JU

HN4K03JU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type HN4K03JU Unit in mm High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High input impedance Low gate threshold voltage Vth = 0.5 1.5V Excellent switching times Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS

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