Справочник MOSFET. HN4K03JU

 

HN4K03JU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HN4K03JU
   Маркировка: KP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm
   Тип корпуса: SOT353 SC88A USV
 

 Аналог (замена) для HN4K03JU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HN4K03JU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  toshiba
 hn4k03ju.pdf pdf_icon

HN4K03JU

HN4K03JU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type HN4K03JU Unit in mmHigh Speed Switching Applications Analog Switch Applications High input impedance Low gate threshold voltage: Vth = 0.5~1.5V Excellent switching times Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating UnitDrain-Source voltage VDS

Другие MOSFET... HN1J02FU , HN1K02FU , HN1K03FU , HN1K04FU , HN1K05FU , HN1K06FU , HN1L02FU , HN1L03FU , IRF3710 , SSM3J01F , SSM3J01T , SSM3J02F , SSM3J02T , SSM3J05FU , SSM3J09FU , SSM3J108TU , SSM3J109TU .

 

 
Back to Top

 


 
.