HN4K03JU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HN4K03JU  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 9.3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 12 Ohm

Тип корпуса: SOT353 SC88A USV

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HN4K03JU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HN4K03JU даташит

 ..1. Size:312K  toshiba
 hn4k03ju.pdf pdf_icon

HN4K03JU

HN4K03JU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type HN4K03JU Unit in mm High Speed Switching Applications Analog Switch Applications High input impedance Low gate threshold voltage Vth = 0.5 1.5V Excellent switching times Small package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) (Q1, Q2 Common) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDS

Другие IGBT... HN1J02FU, HN1K02FU, HN1K03FU, HN1K04FU, HN1K05FU, HN1K06FU, HN1L02FU, HN1L03FU, IRF640N, SSM3J01F, SSM3J01T, SSM3J02F, SSM3J02T, SSM3J05FU, SSM3J09FU, SSM3J108TU, SSM3J109TU