SSM3J326T MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

SSM3J326T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM3J326T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0393 Ohm

Encapsulados: TSM

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SSM3J326T datasheet

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SSM3J325F TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS ) SSM3J325F Power Management Switch Applications Unit mm +0.5 1.5-V drive 2.5-0.3 +0.25 Low ON-resistance R = 311 m (max) (@V = -1.5 V) DS(ON) GS 1.5-0.15 R = 231 m (max) (@V = -1.8 V) DS(ON) GS R = 179 m (max) (@V = -2.5 V) DS(ON) GS 1 R = 150 m (max) (@V = -4.5 V)

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