SSM3J326T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSM3J326T
   Código: KFF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.7 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 9.3 nC
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 96 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0393 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSM

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSM3J326T

SSM3J326T Datasheet (PDF)

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SSM3J325F TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J325F Power Management Switch Applications Unit: mm +0.5 1.5-V drive 2.5-0.3+0.25 Low ON-resistance: R = 311 m (max) (@V = -1.5 V) DS(ON) GS1.5-0.15 R = 231 m (max) (@V = -1.8 V) DS(ON) GS R = 179 m (max) (@V = -2.5 V) DS(ON) GS1 R = 150 m (max) (@V = -4.5 V)

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SSM3J328R TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J328R Power Management Switch Applications Unit: mm+0.08 1.5-V drive0.42+0.08-0.050.170.05M A -0.07 Low ON-resistance: RDS(ON) = 88.4m (max) (@VGS = -1.5 V) 3RDS(ON) = 56.0m (max) (@VGS = -1.8 V) RDS(ON) = 39.7m (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 29.8m (max) (@V

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SSM3J321T TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V) SSM3J321T Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications 1.5V drive Unit: mm Low ON-resistance: Ron = 137m (max) (@VGS = -1.5 V) +0.2Ron = 88m (max) (@VGS = -1.8 V) 2.8-0.3Ron = 62m (max) (@VGS = -2.5 V) +0.21.6-0.1Ron = 46m (max) (@VGS = -4.5

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SSM3J327Rwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: