Справочник MOSFET. SSM3J326T

 

SSM3J326T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSM3J326T
   Маркировка: KFF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.3 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0393 Ohm
   Тип корпуса: TSM
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM3J326T Datasheet (PDF)

 0.1. Size:206K  toshiba
ssm3j326t..pdfpdf_icon

SSM3J326T

 7.1. Size:254K  toshiba
ssm3j325f.pdfpdf_icon

SSM3J326T

SSM3J325F TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J325F Power Management Switch Applications Unit: mm +0.5 1.5-V drive 2.5-0.3+0.25 Low ON-resistance: R = 311 m (max) (@V = -1.5 V) DS(ON) GS1.5-0.15 R = 231 m (max) (@V = -1.8 V) DS(ON) GS R = 179 m (max) (@V = -2.5 V) DS(ON) GS1 R = 150 m (max) (@V = -4.5 V)

 7.2. Size:209K  toshiba
ssm3j328r..pdfpdf_icon

SSM3J326T

 7.3. Size:206K  toshiba
ssm3j327r..pdfpdf_icon

SSM3J326T

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.