SSM3J326T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SSM3J326T
Маркировка: KFF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.3 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0393 Ohm
Тип корпуса: TSM
SSM3J326T Datasheet (PDF)
ssm3j325f.pdf

SSM3J325F TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS) SSM3J325F Power Management Switch Applications Unit: mm +0.5 1.5-V drive 2.5-0.3+0.25 Low ON-resistance: R = 311 m (max) (@V = -1.5 V) DS(ON) GS1.5-0.15 R = 231 m (max) (@V = -1.8 V) DS(ON) GS R = 179 m (max) (@V = -2.5 V) DS(ON) GS1 R = 150 m (max) (@V = -4.5 V)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793