SSM4K27CT Todos los transistores

 

SSM4K27CT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSM4K27CT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.205 Ohm
   Paquete / Cubierta: CST4
 

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SSM4K27CT Datasheet (PDF)

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SSM4K27CT

SSM4K27CT TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) SSM4K27CT Switching Applications Unit: mmTop view 0.80.05 Suitable for high-density mounting due to compact package 0.5 0.050.04 0.20.02 Low on-resistance: Ron = 205 m (max) (@VGS = 4.0 V) Ron = 260 m (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 390 m (max) (@VGS = 1.8 V) Maximum

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