SSM4K27CT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM4K27CT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.205 Ohm

Encapsulados: CST4

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SSM4K27CT datasheet

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SSM4K27CT

SSM4K27CT TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) SSM4K27CT Switching Applications Unit mm Top view 0.8 0.05 Suitable for high-density mounting due to compact package 0.5 0.05 0.04 0.2 0.02 Low on-resistance Ron = 205 m (max) (@VGS = 4.0 V) Ron = 260 m (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 390 m (max) (@VGS = 1.8 V) Maximum

Otros transistores... SSM3K44MFV, SSM3K48FU, SSM3K7002AFU, SSM3K7002BFS, SSM3K7002BFU, SSM3K7002BF, SSM3K7002FU, SSM3K7002F, 13N50, SSM5N05FU, SSM5N15FE, SSM5N15FU, SSM5N16FE, SSM5N16FU, SSM5P05FU, SSM5P15FU, SSM5P16FE