SSM4K27CT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSM4K27CT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm

Тип корпуса: CST4

Аналог (замена) для SSM4K27CT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM4K27CT даташит

 ..1. Size:256K  toshiba
 ssm4k27ct.pdf pdf_icon

SSM4K27CT

SSM4K27CT TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS ) SSM4K27CT Switching Applications Unit mm Top view 0.8 0.05 Suitable for high-density mounting due to compact package 0.5 0.05 0.04 0.2 0.02 Low on-resistance Ron = 205 m (max) (@VGS = 4.0 V) Ron = 260 m (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 390 m (max) (@VGS = 1.8 V) Maximum

Другие IGBT... SSM3K44MFV, SSM3K48FU, SSM3K7002AFU, SSM3K7002BFS, SSM3K7002BFU, SSM3K7002BF, SSM3K7002FU, SSM3K7002F, 13N50, SSM5N05FU, SSM5N15FE, SSM5N15FU, SSM5N16FE, SSM5N16FU, SSM5P05FU, SSM5P15FU, SSM5P16FE