Справочник MOSFET. SSM4K27CT

 

SSM4K27CT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SSM4K27CT
   Маркировка: SA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm
   Тип корпуса: CST4

 Аналог (замена) для SSM4K27CT

 

 

SSM4K27CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  toshiba
 ssm4k27ct.pdf

SSM4K27CT SSM4K27CT

SSM4K27CT TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) SSM4K27CT Switching Applications Unit: mmTop view 0.80.05 Suitable for high-density mounting due to compact package 0.5 0.050.04 0.20.02 Low on-resistance: Ron = 205 m (max) (@VGS = 4.0 V) Ron = 260 m (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 390 m (max) (@VGS = 1.8 V) Maximum

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top