SSM4K27CT - аналоги и даташиты транзистора

 

SSM4K27CT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SSM4K27CT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.205 Ohm
   Тип корпуса: CST4
 

 Аналог (замена) для SSM4K27CT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSM4K27CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:256K  toshiba
 ssm4k27ct.pdf pdf_icon

SSM4K27CT

SSM4K27CT TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS) SSM4K27CT Switching Applications Unit: mmTop view 0.80.05 Suitable for high-density mounting due to compact package 0.5 0.050.04 0.20.02 Low on-resistance: Ron = 205 m (max) (@VGS = 4.0 V) Ron = 260 m (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 390 m (max) (@VGS = 1.8 V) Maximum

Другие MOSFET... SSM3K44MFV , SSM3K48FU , SSM3K7002AFU , SSM3K7002BFS , SSM3K7002BFU , SSM3K7002BF , SSM3K7002FU , SSM3K7002F , 13N50 , SSM5N05FU , SSM5N15FE , SSM5N15FU , SSM5N16FE , SSM5N16FU , SSM5P05FU , SSM5P15FU , SSM5P16FE .

History: AFN04N60T220T | NCE65N260D

 

 
Back to Top

 


 
.