SSM6L39TU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM6L39TU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.119 Ohm

Encapsulados: UF6

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SSM6L39TU datasheet

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SSM6L39TU

SSM6L39TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L39TU Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications Unit mm 2.1 0.1 N-ch 1.5-V drive 1.7 0.1 P-ch 1.8-V drive N-ch, P-ch, 2-in-1 1 6 Low ON-resistance Q1 N-ch Ron = 247 m (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 190 m (max) (@VGS = 1.8 V) 2 5 Ron = 139 m

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SSM6L39TU

SSM6L36TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L36TU Unit mm High-Speed Switching Applications 2.1 0.1 1.7 0.1 1.5-V drive Low ON-resistance Q1 N-ch Ron = 1.52 (max) (@VGS = 1.5 V) 1 6 Ron = 1.14 (max) (@VGS = 1.8 V) 2 5 Ron = 0.85 (max) (@VGS = 2.5 V) 3 4 Ron = 0.66 (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63 (max) (@VGS =

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SSM6L39TU

SSM6L36FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L36FE High-Speed Switching Applications Unit mm 1.6 0.05 1.5-V drive 1.2 0.05 Low ON-resistance Q1 Nch Ron = 1.52 (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 1.14 (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 0.85 (max) (@VGS = 2.5 V) 1 6 Ron = 0.66 (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63 (max) (@VGS = 5.0 V) 2

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SSM6L39TU

SSM6L35FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L35FE High-Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications 1.6 0.05 1.2 0.05 N-ch 1.2-V drive P-ch 1.2-V drive N-ch, P-ch, 2-in-1 1 6 Low ON-resistance Q1 N-ch Ron = 20 (max) (@VGS = 1.2 V) 2 5 Ron = 8 (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 4 (max) (

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