SSM6L39TU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSM6L39TU
Маркировка: LL1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.5 nC
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.119 Ohm
Тип корпуса: UF6
SSM6L39TU Datasheet (PDF)
ssm6l39tu.pdf
SSM6L39TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L39TU Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications Unit: mm2.10.1 N-ch: 1.5-V drive 1.70.1P-ch: 1.8-V drive N-ch, P-ch, 2-in-1 1 6 Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 247 m (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 190 m (max) (@VGS = 1.8 V) 2 5Ron = 139 m
ssm6l36tu.pdf
SSM6L36TU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L36TU Unit: mm High-Speed Switching Applications 2.10.1 1.70.1 1.5-V drive Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 1.52 (max) (@VGS = 1.5 V) 1 6 Ron = 1.14 (max) (@VGS = 1.8 V) 2 5 Ron = 0.85 (max) (@VGS = 2.5 V) 3 4Ron = 0.66 (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63 (max) (@VGS =
ssm6l36fe.pdf
SSM6L36FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L36FE High-Speed Switching Applications Unit: mm1.60.05 1.5-V drive1.20.05 Low ON-resistance Q1 Nch: Ron = 1.52 (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 1.14 (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 0.85 (max) (@VGS = 2.5 V) 1 6Ron = 0.66 (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63 (max) (@VGS = 5.0 V) 2
ssm6l35fe.pdf
SSM6L35FE TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L35FE High-Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications 1.60.051.20.05 N-ch: 1.2-V drive P-ch: 1.2-V drive N-ch, P-ch, 2-in-1 1 6 Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 20 (max) (@VGS = 1.2 V) 25: Ron = 8 (max) (@VGS = 1.5 V) : Ron = 4 (max) (
ssm6l35fu.pdf
SSM6L35FU TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N / P Channel MOS Type SSM6L35FU High-Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications N-ch: 1.2-V drive P-ch: 1.2-V drive N-ch, P-ch, 2-in-1 Low ON-resistance Q1 N-ch: Ron = 20 (max) (@VGS = 1.2 V) : Ron = 8 (max) (@VGS = 1.5 V) : Ron = 4 (max) (@VGS = 2.5 V) : Ron = 3
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918