TJ10S04M3L Todos los transistores

 

TJ10S04M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TJ10S04M3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.062 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TJ10S04M3L Datasheet (PDF)

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TJ10S04M3L

TJ10S04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ10S04M3LTJ10S04M3LTJ10S04M3LTJ10S04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 33.8 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage curren

Otros transistores... SSM6P36FE , SSM6P36TU , SSM6P39TU , SSM6P40TU , SSM6P41FE , SSM6P47NU , SSM6P49NU , SSM6P54TU , STP80NF70 , TJ11A10M3 , TJ150F06M3L , TJ15P04M3 , TJ15S06M3L , TJ20A10M3 , TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L .

History: DMP2104LP | LSDN65R380HT | CES2303 | H7P1006MD90TZ | AM7444N | FDS4435-NL | OSG65R290AF

 

 
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