TJ10S04M3L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TJ10S04M3L
Маркировка: J10S04M3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 19 nC
Время нарастания (tr): 7 ns
Выходная емкость (Cd): 140 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.062 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TJ10S04M3L
TJ10S04M3L Datasheet (PDF)
..1. Size:237K toshiba
tj10s04m3l.pdf
tj10s04m3l.pdf
TJ10S04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ10S04M3LTJ10S04M3LTJ10S04M3LTJ10S04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 33.8 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage curren
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
