TJ10S04M3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TJ10S04M3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TJ10S04M3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ10S04M3L даташит

 ..1. Size:237K  toshiba
 tj10s04m3l.pdf pdf_icon

TJ10S04M3L

TJ10S04M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ10S04M3L TJ10S04M3L TJ10S04M3L TJ10S04M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 33.8 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage curren

Другие IGBT... SSM6P36FE, SSM6P36TU, SSM6P39TU, SSM6P40TU, SSM6P41FE, SSM6P47NU, SSM6P49NU, SSM6P54TU, 10N65, TJ11A10M3, TJ150F06M3L, TJ15P04M3, TJ15S06M3L, TJ20A10M3, TJ20S04M3L, TJ30S06M3L, TJ40S04M3L