TJ10S04M3L - аналоги и даташиты транзистора

 

TJ10S04M3L - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TJ10S04M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.062 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TJ10S04M3L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ10S04M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  toshiba
 tj10s04m3l.pdf pdf_icon

TJ10S04M3L

TJ10S04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ10S04M3LTJ10S04M3LTJ10S04M3LTJ10S04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 33.8 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage curren

Другие MOSFET... SSM6P36FE , SSM6P36TU , SSM6P39TU , SSM6P40TU , SSM6P41FE , SSM6P47NU , SSM6P49NU , SSM6P54TU , STP80NF70 , TJ11A10M3 , TJ150F06M3L , TJ15P04M3 , TJ15S06M3L , TJ20A10M3 , TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L .

History: HGI200N10SL | FQA7N90 | APM4542K | MTDA4N20J3 | MTDE5P10N3 | HGD130N12SL | PJM2300NSA

 

 
Back to Top

 


 
.