TJ11A10M3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TJ11A10M3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm

Encapsulados: TO220SIS

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TJ11A10M3 datasheet

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TJ11A10M3

TJ11A10M3 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ11A10M3 TJ11A10M3 TJ11A10M3 TJ11A10M3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 100 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current IDSS = -10 A (max) (VDS = -100 V) (3) Enh

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
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TJ11A10M3

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TJ11A10M3 ITJ11A10M3 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 130m .(VGS = -10 V) Enhancement mode Vth = -2.0 to -4.0V (VDS = -10 V, ID=-1mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MA

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