Справочник MOSFET. TJ11A10M3

 

TJ11A10M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TJ11A10M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 

 Аналог (замена) для TJ11A10M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ11A10M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  toshiba
 tj11a10m3.pdf pdf_icon

TJ11A10M3

TJ11A10M3MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ11A10M3TJ11A10M3TJ11A10M3TJ11A10M31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 100 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -100 V)(3) Enh

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 tj11a10m3.pdf pdf_icon

TJ11A10M3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TJ11A10M3ITJ11A10M3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 130m.(VGS = -10 V)Enhancement mode:Vth = -2.0 to -4.0V (VDS = -10 V, ID=-1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MA

Другие MOSFET... SSM6P36TU , SSM6P39TU , SSM6P40TU , SSM6P41FE , SSM6P47NU , SSM6P49NU , SSM6P54TU , TJ10S04M3L , 13N50 , TJ150F06M3L , TJ15P04M3 , TJ15S06M3L , TJ20A10M3 , TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L .

History: 6764 | IPB80N04S4-04 | STP10NM60ND | WFP5N60 | 30N20 | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.