TJ11A10M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TJ11A10M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TJ11A10M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ11A10M3 даташит

 ..1. Size:260K  toshiba
 tj11a10m3.pdf pdf_icon

TJ11A10M3

TJ11A10M3 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ11A10M3 TJ11A10M3 TJ11A10M3 TJ11A10M3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 100 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current IDSS = -10 A (max) (VDS = -100 V) (3) Enh

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 tj11a10m3.pdf pdf_icon

TJ11A10M3

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TJ11A10M3 ITJ11A10M3 FEATURES Low drain-source on-resistance RDS(on) 130m .(VGS = -10 V) Enhancement mode Vth = -2.0 to -4.0V (VDS = -10 V, ID=-1mA) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Switching Voltage Regulators ABSOLUTE MA

Другие IGBT... SSM6P36TU, SSM6P39TU, SSM6P40TU, SSM6P41FE, SSM6P47NU, SSM6P49NU, SSM6P54TU, TJ10S04M3L, 5N60, TJ150F06M3L, TJ15P04M3, TJ15S06M3L, TJ20A10M3, TJ20S04M3L, TJ30S06M3L, TJ40S04M3L, TJ50S06M3L