Справочник MOSFET. TJ11A10M3

 

TJ11A10M3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TJ11A10M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS

 Аналог (замена) для TJ11A10M3

 

 

TJ11A10M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  toshiba
 tj11a10m3.pdf

TJ11A10M3 TJ11A10M3

TJ11A10M3MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ11A10M3TJ11A10M3TJ11A10M3TJ11A10M31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 100 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -100 V)(3) Enh

 ..2. Size:242K  inchange semiconductor
 tj11a10m3.pdf

TJ11A10M3 TJ11A10M3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TJ11A10M3ITJ11A10M3FEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 130m.(VGS = -10 V)Enhancement mode:Vth = -2.0 to -4.0V (VDS = -10 V, ID=-1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MA

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: NCE60ND03N

 

 
Back to Top