TJ15P04M3 Todos los transistores

 

TJ15P04M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TJ15P04M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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TJ15P04M3 Datasheet (PDF)

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TJ15P04M3

TJ15P04M3MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ15P04M3TJ15P04M3TJ15P04M3TJ15P04M31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Desktop Computers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 28 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -40 V)

Otros transistores... SSM6P40TU , SSM6P41FE , SSM6P47NU , SSM6P49NU , SSM6P54TU , TJ10S04M3L , TJ11A10M3 , TJ150F06M3L , 2N60 , TJ15S06M3L , TJ20A10M3 , TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L , TJ60S04M3L , TJ60S06M3L .

History: IRF640NSPBF | HCU65R450 | NVMFS6H864N

 

 
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