Справочник MOSFET. TJ15P04M3

 

TJ15P04M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TJ15P04M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ15P04M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  toshiba
 tj15p04m3.pdf pdf_icon

TJ15P04M3

TJ15P04M3MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ15P04M3TJ15P04M3TJ15P04M3TJ15P04M31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Desktop Computers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 28 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -40 V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFP250A | STK0260D

 

 
Back to Top

 


 
.