TJ15P04M3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TJ15P04M3
Маркировка: J15P04M
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 29 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 26 nC
Время нарастания (tr): 11 ns
Выходная емкость (Cd): 170 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.048 Ohm
Тип корпуса: DPAK
TJ15P04M3 Datasheet (PDF)
..1. Size:242K toshiba
tj15p04m3.pdf
tj15p04m3.pdf
TJ15P04M3MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ15P04M3TJ15P04M3TJ15P04M3TJ15P04M31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Desktop Computers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 28 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -40 V)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
