Справочник MOSFET. TJ15P04M3

 

TJ15P04M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TJ15P04M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для TJ15P04M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ15P04M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  toshiba
 tj15p04m3.pdf pdf_icon

TJ15P04M3

TJ15P04M3MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ15P04M3TJ15P04M3TJ15P04M3TJ15P04M31. Applications1. Applications1. Applications1. Applications DC-DC Converters Desktop Computers2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 28 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -40 V)

Другие MOSFET... SSM6P40TU , SSM6P41FE , SSM6P47NU , SSM6P49NU , SSM6P54TU , TJ10S04M3L , TJ11A10M3 , TJ150F06M3L , IRFZ46N , TJ15S06M3L , TJ20A10M3 , TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L , TJ60S04M3L , TJ60S06M3L .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | PD696BA | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.