TJ15P04M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TJ15P04M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TJ15P04M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ15P04M3 даташит

 ..1. Size:242K  toshiba
 tj15p04m3.pdf pdf_icon

TJ15P04M3

TJ15P04M3 MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ15P04M3 TJ15P04M3 TJ15P04M3 TJ15P04M3 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications DC-DC Converters Desktop Computers 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 28 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current IDSS = -10 A (max) (VDS = -40 V)

Другие IGBT... SSM6P40TU, SSM6P41FE, SSM6P47NU, SSM6P49NU, SSM6P54TU, TJ10S04M3L, TJ11A10M3, TJ150F06M3L, SI2302, TJ15S06M3L, TJ20A10M3, TJ20S04M3L, TJ30S06M3L, TJ40S04M3L, TJ50S06M3L, TJ60S04M3L, TJ60S06M3L