TJ20A10M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TJ20A10M3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 35 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Corriente continua de drenaje (Id): 20 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 120 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.09 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220SIS

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TJ20A10M3

TJ20A10M3 Datasheet (PDF)

1.1. tj20a10m3 090323.pdf Size:307K _toshiba

TJ20A10M3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSVI) TJ20A10M3 Swiching Regulator Applications • Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 63 m? (typ.) Unit: mm • High forward transfer admittance: |Yfs| = 50 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = -10 ?A (max) (VDS = -100 V) • Enhancement-model: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA) Ab

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Liste

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