TJ20A10M3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TJ20A10M3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220SIS
Búsqueda de reemplazo de TJ20A10M3 MOSFET
Principales características: TJ20A10M3
tj20a10m3.pdf
TJ20A10M3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSVI) TJ20A10M3 Swiching Regulator Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 63 m (typ.) Unit mm High forward transfer admittance Yfs = 50 S (typ.) Low leakage current IDSS = -10 A (max) (VDS = -100 V) Enhancement-model Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)
Otros transistores... SSM6P47NU , SSM6P49NU , SSM6P54TU , TJ10S04M3L , TJ11A10M3 , TJ150F06M3L , TJ15P04M3 , TJ15S06M3L , 18N50 , TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L , TJ60S04M3L , TJ60S06M3L , TJ70A06J3 , TJ80S04M3L .
History: SI7368DP | FQD19N10LTM | FQD12N20
History: SI7368DP | FQD19N10LTM | FQD12N20
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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