Справочник MOSFET. TJ20A10M3

 

TJ20A10M3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TJ20A10M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ20A10M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  toshiba
 tj20a10m3.pdf pdf_icon

TJ20A10M3

TJ20A10M3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSVI) TJ20A10M3 Swiching Regulator Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 63 m (typ.) Unit: mm High forward transfer admittance: |Yfs| = 50 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -100 V) Enhancement-model: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AONU32320 | 2SJ542 | BSS138A | AP4N4R2H | STF20NM60D | YTF840

 

 
Back to Top

 


 
.