TJ20A10M3 - аналоги и даташиты транзистора

 

TJ20A10M3 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: TJ20A10M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: TO220SIS
 

 Аналог (замена) для TJ20A10M3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ20A10M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:307K  toshiba
 tj20a10m3.pdf pdf_icon

TJ20A10M3

TJ20A10M3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSVI) TJ20A10M3 Swiching Regulator Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 63 m (typ.) Unit: mm High forward transfer admittance: |Yfs| = 50 S (typ.) Low leakage current: IDSS = -10 A (max) (VDS = -100 V) Enhancement-model: Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Другие MOSFET... SSM6P47NU , SSM6P49NU , SSM6P54TU , TJ10S04M3L , TJ11A10M3 , TJ150F06M3L , TJ15P04M3 , TJ15S06M3L , RU6888R , TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L , TJ60S04M3L , TJ60S06M3L , TJ70A06J3 , TJ80S04M3L .

History: MTB33N10E | FCP650N80Z

 

 
Back to Top

 


 
.