TJ20A10M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TJ20A10M3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO220SIS

Аналог (замена) для TJ20A10M3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ20A10M3 даташит

 ..1. Size:307K  toshiba
 tj20a10m3.pdf pdf_icon

TJ20A10M3

TJ20A10M3 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSVI) TJ20A10M3 Swiching Regulator Applications Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 63 m (typ.) Unit mm High forward transfer admittance Yfs = 50 S (typ.) Low leakage current IDSS = -10 A (max) (VDS = -100 V) Enhancement-model Vth = -2.0 to -4.0 V (VDS = -10 V, ID = -1 mA)

Другие IGBT... SSM6P47NU, SSM6P49NU, SSM6P54TU, TJ10S04M3L, TJ11A10M3, TJ150F06M3L, TJ15P04M3, TJ15S06M3L, 18N50, TJ20S04M3L, TJ30S06M3L, TJ40S04M3L, TJ50S06M3L, TJ60S04M3L, TJ60S06M3L, TJ70A06J3, TJ80S04M3L