TJ40S04M3L Todos los transistores

 

TJ40S04M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TJ40S04M3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0091 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

TJ40S04M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  toshiba
 tj40s04m3l.pdf pdf_icon

TJ40S04M3L

TJ40S04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ40S04M3LTJ40S04M3LTJ40S04M3LTJ40S04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.0 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FK30SM-5 | SIHF10N40D | SI2202 | SL4813A | P3506DD

 

 
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