TJ40S04M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TJ40S04M3L
   Código: J40S04M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 83 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0091 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

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TJ40S04M3L Datasheet (PDF)

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tj40s04m3l.pdf

TJ40S04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ40S04M3LTJ40S04M3LTJ40S04M3LTJ40S04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.0 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK1073

Liste

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