Справочник MOSFET. TJ40S04M3L

 

TJ40S04M3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TJ40S04M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0091 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ40S04M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  toshiba
 tj40s04m3l.pdf pdf_icon

TJ40S04M3L

TJ40S04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ40S04M3LTJ40S04M3LTJ40S04M3LTJ40S04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 7.0 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMFS4C09N | P0908ATF | 2SK2424 | 2SK4108 | JCS2N60MB | CM20N50P | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.