TJ60S06M3L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TJ60S06M3L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0112 Ohm

Encapsulados: DPAK

 Búsqueda de reemplazo de TJ60S06M3L MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

TJ60S06M3L datasheet

 ..1. Size:240K  toshiba
 tj60s06m3l.pdf pdf_icon

TJ60S06M3L

TJ60S06M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ60S06M3L TJ60S06M3L TJ60S06M3L TJ60S06M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 8.6 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current

 8.1. Size:241K  toshiba
 tj60s04m3l.pdf pdf_icon

TJ60S06M3L

TJ60S04M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ60S04M3L TJ60S04M3L TJ60S04M3L TJ60S04M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current

Otros transistores... TJ15P04M3, TJ15S06M3L, TJ20A10M3, TJ20S04M3L, TJ30S06M3L, TJ40S04M3L, TJ50S06M3L, TJ60S04M3L, 2N60, TJ70A06J3, TJ80S04M3L, TJ8S06M3L, TK100F04K3, TK100F06K3, TK10A50D, TK10A55D, TK10A60D