TJ60S06M3L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TJ60S06M3L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0112 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TJ60S06M3L

TJ60S06M3L Datasheet (PDF)

..1. Size:240K toshiba
tj60s06m3l.pdf

TJ60S06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ60S06M3LTJ60S06M3LTJ60S06M3LTJ60S06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.6 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current

8.1. Size:241K toshiba
tj60s04m3l.pdf

TJ60S04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ60S04M3LTJ60S04M3LTJ60S04M3LTJ60S04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current

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Liste

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