Справочник MOSFET. TJ60S06M3L

 

TJ60S06M3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TJ60S06M3L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0112 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ60S06M3L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  toshiba
 tj60s06m3l.pdf pdf_icon

TJ60S06M3L

TJ60S06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ60S06M3LTJ60S06M3LTJ60S06M3LTJ60S06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.6 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current

 8.1. Size:241K  toshiba
 tj60s04m3l.pdf pdf_icon

TJ60S06M3L

TJ60S04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ60S04M3LTJ60S04M3LTJ60S04M3LTJ60S04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current

Другие MOSFET... TJ15P04M3 , TJ15S06M3L , TJ20A10M3 , TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L , TJ60S04M3L , IRF830 , TJ70A06J3 , TJ80S04M3L , TJ8S06M3L , TK100F04K3 , TK100F06K3 , TK10A50D , TK10A55D , TK10A60D .

 

 
Back to Top

 


 
.