TJ60S06M3L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: TJ60S06M3L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0112 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для TJ60S06M3L
TJ60S06M3L Datasheet (PDF)
tj60s06m3l.pdf

TJ60S06M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ60S06M3LTJ60S06M3LTJ60S06M3LTJ60S06M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.6 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current
tj60s04m3l.pdf

TJ60S04M3LMOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS)TJ60S04M3LTJ60S04M3LTJ60S04M3LTJ60S04M3L1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (VGS = -10 V)(2) Low leakage current
Другие MOSFET... TJ15P04M3 , TJ15S06M3L , TJ20A10M3 , TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L , TJ60S04M3L , IRF830 , TJ70A06J3 , TJ80S04M3L , TJ8S06M3L , TK100F04K3 , TK100F06K3 , TK10A50D , TK10A55D , TK10A60D .
History: STF10N105K5 | SI1926DL | VBZFB40N10
History: STF10N105K5 | SI1926DL | VBZFB40N10



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147