TJ60S06M3L - описание и поиск аналогов

 

TJ60S06M3L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TJ60S06M3L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0112 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для TJ60S06M3L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TJ60S06M3L даташит

 ..1. Size:240K  toshiba
 tj60s06m3l.pdf pdf_icon

TJ60S06M3L

TJ60S06M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ60S06M3L TJ60S06M3L TJ60S06M3L TJ60S06M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 8.6 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current

 8.1. Size:241K  toshiba
 tj60s04m3l.pdf pdf_icon

TJ60S06M3L

TJ60S04M3L MOSFETs Silicon P-Channel MOS (U-MOS ) TJ60S04M3L TJ60S04M3L TJ60S04M3L TJ60S04M3L 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 4.8 m (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current

Другие MOSFET... TJ15P04M3 , TJ15S06M3L , TJ20A10M3 , TJ20S04M3L , TJ30S06M3L , TJ40S04M3L , TJ50S06M3L , TJ60S04M3L , 2N60 , TJ70A06J3 , TJ80S04M3L , TJ8S06M3L , TK100F04K3 , TK100F06K3 , TK10A50D , TK10A55D , TK10A60D .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.