TK12X60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TK12X60U
   Código: K12X60U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC97 TFP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK12X60U

TK12X60U Datasheet (PDF)

..1. Size:193K toshiba
tk12x60u.pdf

TK12X60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK12X60U Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.38 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

9.1. Size:188K toshiba
tk12x53d.pdf

TK12X53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK12X53D Switching Regulator Applications Unit: mm9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.5 (typ.) 4 High forward transfer admittance: Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode: Vth =

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: