Справочник MOSFET. TK12X60U

 

TK12X60U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK12X60U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: SC97 TFP
 

 Аналог (замена) для TK12X60U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK12X60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  toshiba
 tk12x60u.pdf pdf_icon

TK12X60U

TK12X60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK12X60U Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.38 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 7.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

 9.1. Size:188K  toshiba
 tk12x53d.pdf pdf_icon

TK12X60U

TK12X53D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK12X53D Switching Regulator Applications Unit: mm9.2 MAX. 7.0 0.2 0.4 0.1 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.5 (typ.) 4 High forward transfer admittance: Yfs = 6.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 525 V) Enhancement-mode: Vth =

Другие MOSFET... TK12A55D , TK12A60D , TK12A60U , TK12A65D , TK12E60U , TK12J55D , TK12J60U , TK12X53D , IRF740 , TK130F06K3 , TK13A25D , TK13A45D , TK13A50DA , TK13A50D , TK13A55DA , TK13A60D , TK13A65D .

History: CHM634PAGP | ZXMN6A07F | NVMFS5A140PLZ

 

 
Back to Top

 


 
.