TK13E25D Todos los transistores

 

TK13E25D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK13E25D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 102 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC46 TO220AB
 

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TK13E25D Datasheet (PDF)

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TK13E25D

TK13E25DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK13E25DTK13E25DTK13E25DTK13E25D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.19 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V)(3) Enhancement mode: Vth =

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History: WFF2N65 | AP2763W-A

 

 
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