TK13E25D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK13E25D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SC46 TO220AB

Аналог (замена) для TK13E25D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK13E25D даташит

 ..1. Size:236K  toshiba
 tk13e25d.pdf pdf_icon

TK13E25D

TK13E25D MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK13E25D TK13E25D TK13E25D TK13E25D 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.19 (typ.) (2) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V) (3) Enhancement mode Vth =

Другие IGBT... TK13A25D, TK13A45D, TK13A50DA, TK13A50D, TK13A55DA, TK13A60D, TK13A65D, TK13A65U, IRLZ44N, TK13J65U, TK13P25D, TK14A45DA, TK14A45D, TK14A55D, TK150F04K3, TK15A20D, TK15A50D