Справочник MOSFET. TK13E25D

 

TK13E25D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK13E25D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 102 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SC46 TO220AB
 

 Аналог (замена) для TK13E25D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK13E25D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  toshiba
 tk13e25d.pdf pdf_icon

TK13E25D

TK13E25DMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK13E25DTK13E25DTK13E25DTK13E25D1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.19 (typ.)(2) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 250 V)(3) Enhancement mode: Vth =

Другие MOSFET... TK13A25D , TK13A45D , TK13A50DA , TK13A50D , TK13A55DA , TK13A60D , TK13A65D , TK13A65U , IRFP260N , TK13J65U , TK13P25D , TK14A45DA , TK14A45D , TK14A55D , TK150F04K3 , TK15A20D , TK15A50D .

History: SPD08N50C3 | 2SK277 | NP20N10YDF | CET0215 | IXTQ75N10P | MCG30N03A

 

 
Back to Top

 


 
.