TK15E60U Todos los transistores

 

TK15E60U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK15E60U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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TK15E60U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  toshiba
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TK15E60U

TK15E60UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK15E60UTK15E60UTK15E60UTK15E60U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.24 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 8.5 S (typ.)(3) Low leakage current: IDS

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
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TK15E60U

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK15E60UITK15E60UFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(on) 0.3.Enhancement mode:Vth =3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=1mA)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

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History: IPD031N03L

 

 
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