TK15E60U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK15E60U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для TK15E60U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK15E60U даташит

 ..1. Size:244K  toshiba
 tk15e60u.pdf pdf_icon

TK15E60U

TK15E60U MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK15E60U TK15E60U TK15E60U TK15E60U 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.24 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) (3) Low leakage current IDS

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 tk15e60u.pdf pdf_icon

TK15E60U

Другие IGBT... TK14A45DA, TK14A45D, TK14A55D, TK150F04K3, TK15A20D, TK15A50D, TK15A60D, TK15A60U, P55NF06, TK15J50D, TK15J60U, TK15X60U, TK16A45D, TK16A55D, TK16J55D, TK17A65U, TK17J65U