TK15J50D Todos los transistores

 

TK15J50D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK15J50D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: SC65 TO3P

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TK15J50D datasheet

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TK15J50D

TK15J50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK15J50D Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.33 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth = 2.0 to 4.0 V

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TK15J50D

TK15J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK15J60U Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.24 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V

Otros transistores... TK14A45D , TK14A55D , TK150F04K3 , TK15A20D , TK15A50D , TK15A60D , TK15A60U , TK15E60U , 8205A , TK15J60U , TK15X60U , TK16A45D , TK16A55D , TK16J55D , TK17A65U , TK17J65U , TK18A30D .

 

 

 


 
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