TK15J50D Todos los transistores

 

TK15J50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK15J50D

Código: K15J50D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 210 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 38 nC

Tiempo de elevación (tr): 40 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 190 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC65 TO3P

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TK15J50D Datasheet (PDF)

0.1. tk15j50d.pdf Size:184K _toshiba

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TK15J50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK15J50D Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.33 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 8.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V

9.1. tk15j60u.pdf Size:185K _toshiba

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TK15J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK15J60U Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.24 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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