Справочник MOSFET. TK15J50D

 

TK15J50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK15J50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: SC65 TO3P
 

 Аналог (замена) для TK15J50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK15J50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  toshiba
 tk15j50d.pdf pdf_icon

TK15J50D

TK15J50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK15J50D Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.33 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 8.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V

 9.1. Size:185K  toshiba
 tk15j60u.pdf pdf_icon

TK15J50D

TK15J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK15J60U Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.24 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode: Vth = 3.0 to 5.0 V

Другие MOSFET... TK14A45D , TK14A55D , TK150F04K3 , TK15A20D , TK15A50D , TK15A60D , TK15A60U , TK15E60U , 2SK3878 , TK15J60U , TK15X60U , TK16A45D , TK16A55D , TK16J55D , TK17A65U , TK17J65U , TK18A30D .

History: AP02N90H-HF | QM4302S

 

 
Back to Top

 


 
.