TK15J50D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK15J50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: SC65 TO3P

Аналог (замена) для TK15J50D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK15J50D даташит

 ..1. Size:184K  toshiba
 tk15j50d.pdf pdf_icon

TK15J50D

TK15J50D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK15J50D Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON resistance RDS (ON) = 0.33 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.0 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode Vth = 2.0 to 4.0 V

 9.1. Size:185K  toshiba
 tk15j60u.pdf pdf_icon

TK15J50D

TK15J60U TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS II) TK15J60U Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.24 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 8.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 100 A (max) (VDS = 600 V) Enhancement-mode Vth = 3.0 to 5.0 V

Другие IGBT... TK14A45D, TK14A55D, TK150F04K3, TK15A20D, TK15A50D, TK15A60D, TK15A60U, TK15E60U, 8205A, TK15J60U, TK15X60U, TK16A45D, TK16A55D, TK16J55D, TK17A65U, TK17J65U, TK18A30D