TK16J55D Todos los transistores

 

TK16J55D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK16J55D

Código: K16J55D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 250 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 550 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 40 nC

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.37 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC65 TO3P

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TK16J55D Datasheet (PDF)

0.1. tk16j55d.pdf Size:189K _toshiba

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TK16J55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS) TK16J55D Switching Regulator Applications Unit: mm15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.31 (typ.) High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VD

9.1. tk16j60w.pdf Size:245K _toshiba

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TK16J60WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16J60WTK16J60WTK16J60WTK16J60W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) En

9.2. tk16j60w5.pdf Size:243K _toshiba

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TK16J60W5MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK16J60W5TK16J60W5TK16J60W5TK16J60W51. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Fast reverse recovery time: trr = 100 ns (typ.)(2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 9.3. tk16j60w.pdf Size:210K _inchange_semiconductor

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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor TK16J60WFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETE

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