TK16J55D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK16J55D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm

Тип корпуса: SC65 TO3P

Аналог (замена) для TK16J55D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK16J55D даташит

 ..1. Size:189K  toshiba
tk16j55d.pdfpdf_icon

TK16J55D

TK16J55D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOS ) TK16J55D Switching Regulator Applications Unit mm 15.9 MAX. 3.2 0.2 Low drain-source ON-resistance RDS (ON) = 0.31 (typ.) High forward transfer admittance Yfs = 6.5 S (typ.) Low leakage current IDSS = 10 A (max) (VDS = 550 V) Enhancement mode Vth = 2.0 to 4.0 V (VD

 9.1. Size:243K  toshiba
tk16j60w5.pdfpdf_icon

TK16J55D

TK16J60W5 MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16J60W5 TK16J60W5 TK16J60W5 TK16J60W5 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Fast reverse recovery time trr = 100 ns (typ.) (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.18 (typ.) by used to Super Junction Str

 9.2. Size:245K  toshiba
tk16j60w.pdfpdf_icon

TK16J55D

TK16J60W MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK16J60W TK16J60W TK16J60W TK16J60W 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.16 (typ.) by used to Super Junction Structure DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) En

 9.3. Size:210K  inchange semiconductor
tk16j60w.pdfpdf_icon

TK16J55D

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor TK16J60W FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETE

Другие IGBT... TK15A60D, TK15A60U, TK15E60U, TK15J50D, TK15J60U, TK15X60U, TK16A45D, TK16A55D, AON7408, TK17A65U, TK17J65U, TK18A30D, TK18A50D, TK18A60V, TK19A45D, TK19J55D, TK1P90A