TK17J65U Todos los transistores

 

TK17J65U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK17J65U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC65 TO3P
 

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TK17J65U Datasheet (PDF)

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TK17J65U

TK17J65UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK17J65UTK17J65UTK17J65UTK17J65U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.20 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 12.0 S (typ.)(3) Low leakage current: ID

Otros transistores... TK15E60U , TK15J50D , TK15J60U , TK15X60U , TK16A45D , TK16A55D , TK16J55D , TK17A65U , 12N60 , TK18A30D , TK18A50D , TK18A60V , TK19A45D , TK19J55D , TK1P90A , TK1Q90A , TK20A25D .

History: UTT15P06 | BF1212R | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | DCC160M120G1

 

 
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