TK17J65U Todos los transistores

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TK17J65U MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK17J65U

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 190 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Corriente continua de drenaje (Id): 17 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 27 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.26 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC65_TO3P

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TK17J65U Datasheet (PDF)

1.1. tk17j65u en datasheet 110114.pdf Size:276K _toshiba2

TK17J65U
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TK17J65U MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS?) TK17J65U TK17J65U TK17J65U TK17J65U 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.20 ? (typ.) (2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 12.0 S (typ.) (3) Low leakage current: IDSS = 100

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