TK17J65U Todos los transistores

 

TK17J65U MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK17J65U
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC65 TO3P
 

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TK17J65U PDF Specs

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TK17J65U

TK17J65U MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK17J65U TK17J65U TK17J65U TK17J65U 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.20 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 12.0 S (typ.) (3) Low leakage current ID... See More ⇒

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