TK17J65U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK17J65U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: SC65 TO3P

Аналог (замена) для TK17J65U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK17J65U даташит

 ..1. Size:276K  toshiba
 tk17j65u.pdf pdf_icon

TK17J65U

TK17J65U MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS ) TK17J65U TK17J65U TK17J65U TK17J65U 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 0.20 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 12.0 S (typ.) (3) Low leakage current ID

Другие IGBT... TK15E60U, TK15J50D, TK15J60U, TK15X60U, TK16A45D, TK16A55D, TK16J55D, TK17A65U, STP75NF75, TK18A30D, TK18A50D, TK18A60V, TK19A45D, TK19J55D, TK1P90A, TK1Q90A, TK20A25D