Справочник MOSFET. TK17J65U

 

TK17J65U Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK17J65U
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: SC65 TO3P
 

 Аналог (замена) для TK17J65U

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK17J65U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  toshiba
 tk17j65u.pdf pdf_icon

TK17J65U

TK17J65UMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK17J65UTK17J65UTK17J65UTK17J65U1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.20 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 12.0 S (typ.)(3) Low leakage current: ID

Другие MOSFET... TK15E60U , TK15J50D , TK15J60U , TK15X60U , TK16A45D , TK16A55D , TK16J55D , TK17A65U , 12N60 , TK18A30D , TK18A50D , TK18A60V , TK19A45D , TK19J55D , TK1P90A , TK1Q90A , TK20A25D .

 

 
Back to Top

 


 
.