TK19J55D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK19J55D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm
Paquete / Cubierta: SC65 TO3P
Búsqueda de reemplazo de TK19J55D MOSFET
TK19J55D Datasheet (PDF)
tk19j55d.pdf
TK19J55DMOSFET NMOS (-MOS)TK19J55DTK19J55DTK19J55DTK19J55D1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) : RDS(ON) = 0.28 ()(2) : |Yfs| = 8.5 S ()(3)
Otros transistores... TK16A55D , TK16J55D , TK17A65U , TK17J65U , TK18A30D , TK18A50D , TK18A60V , TK19A45D , AO3401 , TK1P90A , TK1Q90A , TK20A25D , TK20A60U , TK20E60U , TK20J50D , TK20J60U , TK20P04M1 .
History: TK1Q90A | GSM2324A | SML50J10RU2 | SSF65R099SFD | IRFF30C | GSM4435W
History: TK1Q90A | GSM2324A | SML50J10RU2 | SSF65R099SFD | IRFF30C | GSM4435W
Liste
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