TK19J55D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK19J55D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm
Paquete / Cubierta: SC65 TO3P
Búsqueda de reemplazo de TK19J55D MOSFET
TK19J55D Datasheet (PDF)
tk19j55d.pdf
TK19J55DMOSFET NMOS (-MOS)TK19J55DTK19J55DTK19J55DTK19J55D1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) : RDS(ON) = 0.28 ()(2) : |Yfs| = 8.5 S ()(3)
Otros transistores... TK16A55D , TK16J55D , TK17A65U , TK17J65U , TK18A30D , TK18A50D , TK18A60V , TK19A45D , AO3400 , TK1P90A , TK1Q90A , TK20A25D , TK20A60U , TK20E60U , TK20J50D , TK20J60U , TK20P04M1 .
History: SE2305A | UT3N10G-AG6-R | APT5014LVFRG | NCEAP40ND60AG | AO4916 | FS10KM-10 | 2SK4027
History: SE2305A | UT3N10G-AG6-R | APT5014LVFRG | NCEAP40ND60AG | AO4916 | FS10KM-10 | 2SK4027
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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