TK19J55D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK19J55D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 550 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm

Encapsulados: SC65 TO3P

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TK19J55D datasheet

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TK19J55D

TK19J55D MOSFET N MOS ( -MOS ) TK19J55D TK19J55D TK19J55D TK19J55D 1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) RDS(ON) = 0.28 ( ) (2) Yfs = 8.5 S ( ) (3)

Otros transistores... TK16A55D, TK16J55D, TK17A65U, TK17J65U, TK18A30D, TK18A50D, TK18A60V, TK19A45D, AO3401, TK1P90A, TK1Q90A, TK20A25D, TK20A60U, TK20E60U, TK20J50D, TK20J60U, TK20P04M1