TK19J55D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TK19J55D
Código: K19J55D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.33 Ohm
Paquete / Cubierta: SC65 TO3P
Búsqueda de reemplazo de MOSFET TK19J55D
TK19J55D Datasheet (PDF)
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TK19J55DMOSFET NMOS (-MOS)TK19J55DTK19J55DTK19J55DTK19J55D1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) : RDS(ON) = 0.28 ()(2) : |Yfs| = 8.5 S ()(3)
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
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