TK19J55D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK19J55D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm

Тип корпуса: SC65 TO3P

Аналог (замена) для TK19J55D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK19J55D даташит

 ..1. Size:328K  toshiba
 tk19j55d.pdf pdf_icon

TK19J55D

TK19J55D MOSFET N MOS ( -MOS ) TK19J55D TK19J55D TK19J55D TK19J55D 1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) RDS(ON) = 0.28 ( ) (2) Yfs = 8.5 S ( ) (3)

Другие IGBT... TK16A55D, TK16J55D, TK17A65U, TK17J65U, TK18A30D, TK18A50D, TK18A60V, TK19A45D, AO3401, TK1P90A, TK1Q90A, TK20A25D, TK20A60U, TK20E60U, TK20J50D, TK20J60U, TK20P04M1