TK19J55D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TK19J55D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
Тип корпуса: SC65 TO3P
Аналог (замена) для TK19J55D
TK19J55D Datasheet (PDF)
..1. Size:328K toshiba
tk19j55d.pdf
tk19j55d.pdf
TK19J55DMOSFET NMOS (-MOS)TK19J55DTK19J55DTK19J55DTK19J55D1. 1. 1. 1. 2. 2. 2. 2. (1) : RDS(ON) = 0.28 ()(2) : |Yfs| = 8.5 S ()(3)
Другие MOSFET... TK16A55D , TK16J55D , TK17A65U , TK17J65U , TK18A30D , TK18A50D , TK18A60V , TK19A45D , IRFP260 , TK1P90A , TK1Q90A , TK20A25D , TK20A60U , TK20E60U , TK20J50D , TK20J60U , TK20P04M1 .
History: IRFPC50A | SFS06R02DF | HD60N03 | TK28A65W
History: IRFPC50A | SFS06R02DF | HD60N03 | TK28A65W
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802