TK1Q90A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TK1Q90A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm

Encapsulados: PWMOLD2

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TK1Q90A datasheet

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TK1Q90A

TK1Q90A MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK1Q90A TK1Q90A TK1Q90A TK1Q90A 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.7 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 1.0 S (typ.) (3) Low leakage current IDSS = 1

Otros transistores... TK17A65U, TK17J65U, TK18A30D, TK18A50D, TK18A60V, TK19A45D, TK19J55D, TK1P90A, IRFP260, TK20A25D, TK20A60U, TK20E60U, TK20J50D, TK20J60U, TK20P04M1, TK20S04K3L, TK20S06K3L