TK1Q90A Todos los transistores

 

TK1Q90A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TK1Q90A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
   Paquete / Cubierta: PWMOLD2
 

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TK1Q90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  toshiba
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TK1Q90A

TK1Q90AMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK1Q90ATK1Q90ATK1Q90ATK1Q90A1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.7 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.0 S (typ.)(3) Low leakage current: IDSS = 1

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History: FCD600N65S3R0 | VBZA4850 | VBZL120N08 | STL52N25M5 | IPAN70R900P7S | QM3010B | NP84N055DLE

 

 
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