TK1Q90A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TK1Q90A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm

Тип корпуса: PWMOLD2

Аналог (замена) для TK1Q90A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK1Q90A даташит

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk1q90a.pdf pdf_icon

TK1Q90A

TK1Q90A MOSFETs Silicon N-Channel MOS ( -MOS ) TK1Q90A TK1Q90A TK1Q90A TK1Q90A 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Switching Voltage Regulators 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 6.7 (typ.) (2) High forward transfer admittance Yfs = 1.0 S (typ.) (3) Low leakage current IDSS = 1

Другие IGBT... TK17A65U, TK17J65U, TK18A30D, TK18A50D, TK18A60V, TK19A45D, TK19J55D, TK1P90A, IRFP260, TK20A25D, TK20A60U, TK20E60U, TK20J50D, TK20J60U, TK20P04M1, TK20S04K3L, TK20S06K3L