Справочник MOSFET. TK1Q90A

 

TK1Q90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK1Q90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: PWMOLD2
 

 Аналог (замена) для TK1Q90A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TK1Q90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk1q90a.pdf pdf_icon

TK1Q90A

TK1Q90AMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK1Q90ATK1Q90ATK1Q90ATK1Q90A1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.7 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.0 S (typ.)(3) Low leakage current: IDSS = 1

Другие MOSFET... TK17A65U , TK17J65U , TK18A30D , TK18A50D , TK18A60V , TK19A45D , TK19J55D , TK1P90A , 8205A , TK20A25D , TK20A60U , TK20E60U , TK20J50D , TK20J60U , TK20P04M1 , TK20S04K3L , TK20S06K3L .

History: MPGJ10R7 | IXTA2N100P | NCE65N800I | IRLR8715CPBF | MTP9575J3 | SQJ858AEP | CHM9926AJGP

 

 
Back to Top

 


 
.