Справочник MOSFET. TK1Q90A

 

TK1Q90A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TK1Q90A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: PWMOLD2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

TK1Q90A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  toshiba
 tk1q90a.pdf pdf_icon

TK1Q90A

TK1Q90AMOSFETs Silicon N-Channel MOS (-MOS)TK1Q90ATK1Q90ATK1Q90ATK1Q90A1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.7 (typ.)(2) High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.0 S (typ.)(3) Low leakage current: IDSS = 1

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TSM2N7002KCU | SIHG47N60S | CJAC40N04 | HGI110N08AL | IXFA3N120 | NTLUS3A40PZ | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.